技术分享
您当前的位置是:首页>研发中心>技术分享
EMI常见处理办法


电磁干扰(Electromagnetic Interference简称EMI), EMI对于开关电源来说,一直是电源工程师的痛点和难点,下面诺列在整改中,关于不同频段干扰抑制的常见处理办法:

1MHZ 以内----以差模干扰为主

1.增大X 电容量;

2.添加差模电感;

3.小功率电源可采用PI 型滤波器处理(建议靠近变压器的电解

电容可选用较大些)

1MHZ---5MHZ---差模共模混合

采用输入端并联一系列X 电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种

干扰超标并以解决,

1.对于差模干扰超标可调整X 电容量,添加差模电感器,调差模

电感量;

2.对于共模干扰超标可添加共模电感,选用合理的电感量来抑

制;

3.也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如FR107

对普通整流二极管1N4007

5M---以上以共摸干扰为主,采用抑制共摸的方法。

对于外壳接地的,在地线上用一个磁环串绕2-3 圈会对10MHZ

上干扰有较大的衰减作用;

可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔, 铜箔闭环.

处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。

对于20--30MHZ

1.对于一类产品可以采用调整对地Y2 电容量或改变Y2 电容位

置;

2.调整一二次侧间的Y1 电容位置及参数值;

3.在变压器外面包铜箔;变压器最里层加屏蔽层;调整变压器的

各绕组的排布。

4.改变PCB LAYOUT

5.输出线前面接一个双线并绕的小共模电感;

6.在输出整流管两端并联RC 滤波器且调整合理的参数;

7.在变压器与MOSFET 之间加BEADCORE

8.在变压器的输入电压脚加一个小电容。

9. 可以用增大MOS 驱动电阻.

30---50MHZ 普遍是MOS 管高速开通关断引起

1.可以用增大MOS 驱动电阻;

2.RCD 缓冲电路采用1N4007 慢管;

3.VCC 供电电压用1N4007 慢管来解决;

4.或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感;

5.在MOSFET D-S 脚并联一个小吸收电路;

6.在变压器与MOSFET 之间加BEADCORE

7.在变压器的输入电压脚加一个小电容;

8.PCB 心LAYOUT 时大电解电容,变压器,MOS 构成的电路环尽可

能的小;

9.变压器,输出二极管,输出平波电解电容构成的电路环尽可能

的小。

50---100MHZ 普遍是输出整流管反向恢复电流引起

1.可以在整流管上串磁珠;

2.调整输出整流管的吸收电路参数;

3.可改变一二次侧跨接Y 电容支路的阻抗,PIN 脚处加BEAD

CORE 或串接适当的电阻;

4.也可改变MOSFET,输出整流二极管的本体向空间的辐射(如

铁夹卡MOSFET; 铁夹卡DIODE,改变散热器的接地点)。

5.增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射.

200MHZ 以上开关电源已基本辐射量很小,一般可过EMI 标准

补充说明:

开关电源高频变压器初次间一般是屏蔽层的,以上未加缀述.

开关电源是高频产品,PCB 的元器件布局对EMI.,请密切注意此

.

开关电源若有机械外壳,外壳的结构对辐射有很大的影响.请密

切注意此点.

主开关管,主二极管不同的生产厂家参数有一定的差异,EMI

有一定的影响.请密切注意此点.

法律声明 在您开始访问、浏览及使用本网站前,敬请他细阅读此声明的所有条款。您一旦浏览、使用本网站,即表明您已经同意接受本声明条款的约束。[查看更多]
隐私保护 本声明阐述了我们对隐私权保护的政策。 [查看更多]
联系我们
地址:广东省东莞市石龙镇新城
区黄洲祥龙路富华电子工业园
电话:0769-86022222
传真:0769-86023333
邮箱:fuhua@fuhua-cn.com
版权所有(C)东莞市石龙富华电子有限公司 粤ICP备09034842号 权威合作 技术支持:万户网络