1. 概略図

2. 解析: 図の吸収回路の機能は、電源のメインスイッチ U1 がオフになった瞬間にトランスの漏れインダクタンスに蓄えられたエネルギーを吸収して放出することです。

式によると、P = 1/2* LK * I(t)^2、LK=40uH、

I(t) は、D3 ペア吸収回路を流れる充電電流です。図 1 から、実際のテスト最大値は約 45V/100R = 0.45A です。

図 1 の電圧が正の時間は充電時間で、図 4 の吸収コンデンサの電圧が増加する時間 (約 320ns) に対応します。

最大電流が常にコンデンサの充電時間中にあると仮定すると、P= 0.5* 0.000004* * 0.45*0.45 *0.00000032=0.000000405W 電力は非常に小さく、放電は非常に速くなります。図 5 で低下するコンデンサ電圧は約 520 ns であり、VDS 波形と吸収コンデンサの両端の波形から判断すると、合計のピーク充放電時間は約 840 ns であり、スイッチング周期の 14 μs よりも大幅に短くなります。つまり、トランスの漏れインダクタンスに蓄えられたエネルギーは、サイクルごとに RCD を介して放出されるため、エネルギーの累積重畳現象は発生しません。

図1 R1電圧

図 2 CH1 は VBuck に対する MOS チューブ D ピンの正の電圧です。CH2 は吸収コンデンサ C3 の電圧です。

図 2 の波形を展開すると、次の波形が得られます。

  图3

图4